窒化ガリウム評価基盤領域 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
文字サイズ 標準 拡大
ホーム > プレスリリース・ニュース・イベント

プレスリリース

 
窒化ガリウム (GaN) ウエハ全面の「ゆがみ」をすばやく詳細に可視化する
新手法を開発 2018.5.16
   
プレスリリース:窒化ガリウムトランジスタに原子レベルで平坦な結晶を新発見  2017.10.23
 
 

ニュース・イベント

 

今後のイベント

GaN評価基盤領域 第六回領域運営会議を開催致します。

【開催場所】物質・材料研究機構 千現地区/並木地区
【開催日】 2018.12.11-12           
 

イベント報告

   
GaN評価基盤領域 第五回領域運営会議(2018.6.12-13)
  【開催場所】物質・材料研究機構 並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム
第五回領域運営会議では、2018.7.4-5 名古屋大学における第五回ヒアリングに向け、
二日間にわたり、各グループより進捗状況が報告されました。(出席者27名)
  第五回領域運営会議写真     
 
プレスリリース・第2回公開シンポジウム(2018.5.16)
  【開催場所】学術総合センター 一橋講堂 (東京都千代田区一ツ橋)
文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」事業において、
プレスリリース及び第2回公開シンポジウムを開催致しました。 (2018.5.16)

プレスリリース・シンポジウムの様子はこちら
     シンポジウムポスター
 
nano tech 2018  (2018.2.14 -2.16) 
 

【開催場所】東京ビックサイト 東4・5・6ホール&会議棟 三日間にわたり開催されたnano tech2018(NIMSブース)にて、窒化ガリウム評価基盤領域からは、GaNトランジスタにGa2O3層を発見した成果や事業の紹介を行いました。
◆Ga2O3層を発見した成果のポスターはこちら(PDF)
◆事業の紹介ポスターはこちら(PDF)

       ナノテック2018展示風景
 
 
GaN評価基盤領域 第四回領域運営会議(2017.12.7-8)
  【開催場所】物質・材料研究機構 並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム
第四回領域運営会議では、2017.12.14 名城大学における第四回ヒアリングに向け、
二日間にわたり、各グループより進捗状況が報告されました。(出席者31名)
       第四回領域運営会議の写真
 
GaN研究コンソーシアム 第1回シンポジウム
「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」
成果報告会の開催 (2017.10.18)
  【開催場所】名古屋大学 理学南館 坂田・平田ホール(名古屋市千種区不老町)
2017年10月18日(水)本プロジェクトの成果報告会が開催されました。
当領域からは小出領域長、他研究者2名が発表致しました。
講演プログラムはこちら
 
GaN評価基盤領域 第三回領域運営会議(2017.5.17)
  【開催場所】物質・材料研究機構 千現地区本館第一会議室  
第三回領域運営会議では、領域マネージャーより平成29年度研究計画の説明がありました。 その後、2017.6.14 名古屋大学における第三回ヒアリングに向け、各グループより進捗状況が報告されました。(出席者23名)
 
 
「天野・小出共同研究ラボ開所記念式典」(2017.3.6)
  天野・小出共同研究ラボ開所記念式典
  【開催場所】物質・材料研究機構 並木地区WPI-MANA棟1F オーディトリアム
平成29年3月6日(月)NIMSにて開所式典及び天野浩教授(NIMS特別フェロー・2014年ノーベル物理学賞)による記念講講演会が開催されました。(出席者126名)
  詳しくはこちら
 
「天野・小出共同研究ラボ開所記念式典」(2017.3.1)
  【開催場所】名古屋大学赤崎記念研究館
平成29年3月1日(水)NIMSと名古屋大学の両機関の連携により次世代半導体GaNの研究開発を加速するための「天野・小出共同研究ラボ」が両機関にそれぞれ設置されました。まず、名古屋大学赤崎記念研究館にて開所式(看板上揚・記念講演会)が開催されました。
  式典の様子はこちら
式典の様子はクリックしてください。
 
GaN評価基盤領域 第二回領域運営会議(2016.12.12)
  【開催場所】物質・材料研究機構 並木地区オーディトリアム
第二回領域運営会議では、2016.12.27名古屋大学におけるヒアリングに向け、各グループより進捗状況が報告されました。(出席者25名)
 
 
物質・材料研究機構と名古屋大学「天野・小出共同研究ラボ」の設置に基本合意,‐両機関の連携強化により次世代半導体GaN (窒化ガリウム) の研究開発を加速‐(2016.11.22)
  詳しくはこちら
 
 
GaN評価基盤領域 第一回領域運営会議(2016.6.10)
  【開催場所】物質・材料研究機構千現地区第一会議室
評価基盤領域において、第一回領域運営会議を開催。キックオフシンポジウムとして、評価基盤領域グループの今後の研究および方針等が話し合われました。(出席者44名)
 
 
公開シンポジウム「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」が一橋講堂(東京都千代田区)にて開催されました。(2016.5.18)
 
ニュース・イベント
今後のイベント
イベント報告
  2018年
ニュー プレスリリース・
シンポジウムの様子
  2017年
  天野教授記念講演会の様子
  2016年


NIMS 国立研究開発法人 物質・材料研究機構

NIMS Open Facility

IMaSS 未来材料・システム研究所

GaN研究コンソーシアム