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「天野 - 小出共同研究ラボ」開所式典及び天野浩教授 (NIMS特別フェロー) 記念講演会を開催

平成29年3月6日、物質・材料研究機構 (NIMS) 並木地区にて「天野 - 小出共同研究ラボ」開所式典および名古屋大学・天野浩教授 (NIMS特別フェロー) 記念講演会がNIMSにて開催され、来賓を含む計130余名が出席しました。

平成28年度から文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」事業においてGaN (窒化ガリウム) を中心とした研究開発を名古屋大学は中核機関として、NIMSは評価領域の代表機関として進めています。「天野 - 小出共同研究ラボ」は、この次世代半導体事業を加速することを目的として平成29年3月1日に両機関にそれぞれ設置されました。ここでは名古屋大学天野浩教授とNIMS小出康夫理事とが共同でラボ長となり、研究を推進・運営するという新しい形をとります。
 
NIMSにおける「天野 - 小出共同研究ラボ」は並木地区Nano-GREEN棟2Fに開設されました。開所式典では、NIMS 橋本和仁理事長の挨拶に続いて、名古屋大学 財満鎭明副総長、文部科学省研究振興局 岡村直子参事官 (ナノテクノロジー・物質・材料担当) 、文部科学省研究開発局 藤吉尚之環境エネルギー課長よりそれぞれ祝辞とともに「天野 - 小出共同研究ラボ」における次世代半導体研究の加速への期待の言葉が述べられました。

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共同ラボ長を務める天野NIMS特別フェローと小出理事からは、それぞれ窒化ガリウムのポテンシャルや社会実装のための学術的基礎の重要性、そして共同研究ラボで進める研究のビジョンが語られました。式典では執務を行う部屋の前でステンレス製の「天野 - 小出共同研究ラボ」の看板がお二人の手によって掲げられ、多くの祝福が寄せられました。

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開所式典に続いて、天野特別フェローによる記念講演会が WPI-MANA棟のAuditoriumにて行われました。「GaN研究コンソーシアムの未来ビジョンと物質・材料研究機構への期待」と題して、次世代半導体パワーエレクトロニクスの取り組みの背景や意義、その実現に向けた産業界との取り組みやロードマップが示され、NIMSとのコラボレーションによるシナジー効果への期待が述べられました。

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今後、「天野 - 小出共同研究ラボ」を通じて、両機関の一層の連携強化と研究の拡充が図られることで、日本のコア技術となる次世代半導体材料、革新的デバイスの創出となる研究開発へ貢献することが改めて期待されます。

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